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Si4410DY
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5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
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5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10             100
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10             100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
I D = 11A
1000
100
T J = -5 5 ° C
T J = 2 5 ° C
T J = 1 5 0 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
10 A
10
4
8
V DS = 25V
2 0 μ s P U L S E W ID TH
12
16
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
80 100 120 140 160
V G S , G a te-to-Sou rce Volta ge (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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